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  • 随着电子封装技术不断向高密度、高集成度方向发展,FC-CCGA封装因其优越的电热性能和I/O密度,在宇航等高可靠性领域应用日益广泛。而该类封装在服役期间需承受发射阶段的振动载荷和在轨阶段的温度循环载荷,其核心连接部件易因应力累积引发热疲劳失效,直接威胁封装器件的可靠性与使用寿命。基于Anand模型,构建了涵盖芯片凸点、焊柱、环氧胶及PCB板的电装三维模型,系统研究了FC-CCGA封装器件焊柱和凸点的振动可靠性和热疲劳可靠性。研究中开展了电装模型加固前后冲击响应谱分析,通过模拟关键焊柱和凸点在温度循环载荷下的应力-应变响应,分析了焊柱和凸点中的塑性应变分布与演变规律,并基于Coffin-Manson模型预测了焊柱和凸点的热疲劳寿命。对板级封装后的器件进行了温度循环试验,并观察了不同循环次数下焊柱的外观形貌变化,试验结果与仿真预测相符,研究结果为高可靠性应用场景下焊柱结构的优化设计与寿命评估提供了理论依据与方法支撑。
    2026年06月08日
  • 面向人工智能、边缘计算及高可靠嵌入式系统对高速、低功耗与非易失存储的迫切需求,自旋轨道力矩磁随机存储器(SOT-MRAM)成为新一代存储的重要发展方向。北京航空航天大学联合致真存储(北京)科技有限公司在材料、器件、工艺及架构层面开展协同创新,研制全球首颗8 Mb SOT-MRAM芯片。通过自主可控的8 英寸制造平台构建了兼容主流CMOS工艺的混合集成技术路线,并在保持亚纳秒级超快写入、超高可靠性与低功耗优势的同时,实现了容量规模化突破。相关成果为 SOT-MRAM从技术验证迈向工程化与产业化提供了关键路径,对我国新型存储器产业发展具有重要引领意义。
    2026年01月07日
  • 针对神经常微分方程网络推理在冯·诺依曼架构中面临“功耗墙”和“存储墙”瓶颈、在传统存内计算架构中因存在大量数/模、模/数转换而产生过多的时间和功耗开销等问题,提出一种基于RRAM的面向神经常微分方程网络的全模拟存内计算架构,能够实现纯模拟数据流的神经常微分方程网络推理。
    2025年10月13日
  • 人工智能等海量数据处理需求极大地推动了芯粒集成技术发展,对封装基板提出大尺寸、低翘曲、高性能、高可靠等技术要求。新型玻璃芯基板因本征低介电系数、高热稳定性与化学惰性而受到广泛关注。然而,当前玻璃芯基板技术尚处于起步阶段,缺乏全面、可靠、标准化的生产、应用、检测方法。文中概述了玻璃芯基板的发展历程、应用特点、面临的挑战,对玻璃芯基板在未来芯粒集成方面的应用发展进行了总结与展望。
    2025年09月08日
  • 针对模拟存算一体芯片设计中仿真验证难题,提出一种创新的数字接口设计方案,旨在提高大规模计算场景下的仿真效率。该方案分析SRAM存算一体原理,将SPICE模型与数字控制电路结合,利用数字方法完成模拟存算一体设计的仿真验证,从而提升开发效率。为验证方案的有效性,构建评估体系,对比数字接口仿真与传统模拟电路仿真。结果显示,新方案仿真速度提升2倍以上,配置效率提升1 000倍以上,优势显著。该研究获得科技部重点研发计划 (2021YFB3601300)支持,已在180 nm工艺节点完成流片验证,证实了数字接口设计方案在大规模计算场景下仿真存算一体设计的效率优势。
    2025年07月01日
  • 在工业控制算法中,数学函数的计算往往需要大量的时钟周期,会影响算法的性能。本文对相关数学函数计算方法进行深入分析和方案对比,设计了一种适合硬件电路实现的基于Remez算法的分段查表多项式拟合方法来计算浮点数学函数,同时实现了相应的硬件电路以RISC-V自定义指令的方式与RISC-V处理器内核紧耦合。实验结果表明,与无自定义扩展指令相比,处理器计算数学函数的延迟减小了93.62%。相较于CORDIC指令集计算数学函数的方法,计算延迟减小了79.83%。这一成果为低成本、高实时性要求的RISC-V架构的嵌入式微处理器提供了新的思路和解决方案。
    2025年05月12日
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