意法半导体数字隔离器采用新型厚氧化物电流隔离技术

2021年04月23日 18:08

意法半导体开始量产STISO621双通道数字隔离器,该新系列高性能隔离器适合工业控制应用,可以替代普通的光耦器件。

STISO621的两个隔离区域之间数据传输速率达到100Mbit/s,脉冲失真低于3ns,采用意法半导体的6kV厚氧化层电流隔离技术。该器件有两路独立的单向通道,可以适用于处理双向数据的UART收发器接口。每路通道都有施密特触发器输入,确保隔离器有较高的抗噪能力。

在相互电流隔离的STISO621两端,电源电压彼此独立。每个电源可以在3.3V和5.5V的宽电压范围之间转换电平。65kV/µs的典型共模瞬变抗扰度(CMTI)可保护低压侧,在恶劣环境中免受高开关瞬变影响。

STISO621适用于电源、电机驱动器、仪表、逆变器、电池监测器、电器、现场总线隔离器、对尺寸要求严格的多通道隔离适配器,以及整个工业自动化系统中的常规隔离等各种工业和消费类应用。产品设计符合高压隔离设备测试规范VDE0884-10和UL 1577。

评估板EVALSTISO62XV1有助于加快多种应用场景的设计速度。意法半导体还提供了EVALSTPM-3PHISO,一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计。这个设计集成了用于分离高电压域的STISO621与意法半导体的高精度STPMS2计量前端IC,还提供在STM32微控制器运行的用于计算测量三相数据和电能质量数据的专用固件。

具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM),STISO621电流隔离功能不随时间变化,在任何系统故障期间,保持电流隔离功能的完整性。有两款封装可选,STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装,VIOTM电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装,VIOTM为6000V。在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。

STISO621和STISO621W均已投产。EVALSTISO62XV1可以从意法半导体和代理商处购买。

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