意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关功率损耗

2021年10月26日 16:59

STPOWER MDmesh K6新系列超级结晶体管改进多个关键参数,最大限度减少系统功率损耗,特别适合基于反激式拓扑的照明应用,例如,LED驱动器、HID灯,还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列,为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6的RDS(on) x面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平,能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外,K6系列的阈压比上一代MDmesh K5更低,可使用更低的电压驱动,从而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷(Qg)也非常低,可以实现高开关速度和低损耗。

芯片上集成一个ESD保护二极管,将MOSFET的整体鲁棒性提高到人体模型(HBM) 2级。

意大利固态照明创新企业TCI(www.tcisaronno.net)的首席技术官、研发经理Luca Colombo表示:“我们已经测评了新的超结超高压MDmesh K6系列的样片,并注意到其出色的Rdson*面积和总栅极电荷(Qg)性能特点,给我们印象深刻。”

采用TO-220通孔封装的STP80N240K6(RDS(on)max= 0.22Ω, Qgtyp= 25.9nC)是首批量产的MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK和TO-220FP版本将于2022年1月前量产。订购1000件,单价1.013美元起。

意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合,将导通电阻RDS(on)范围从0.22Ω扩大到4.5Ω,并增加一系列封装选项,包括SMD和通孔外壳。

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